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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
6.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
50
Por volta de -108% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
6.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
2078
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905668-002.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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