RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2389
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link