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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
51
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
37
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2389
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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