RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2231
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link