RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
78
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
78
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2087
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link