RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3559
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link