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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.2
20.0
写入速度,GB/s
8.1
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3559
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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