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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.8
18.8
写入速度,GB/s
8.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3690
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
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