PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 27
    Intorno -13% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.8 left arrow 13.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.6 left arrow 8.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 24
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.8 left arrow 18.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 14.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2274 left arrow 3690
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti