RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2484
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link