RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
4084
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link