RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2771
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link