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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
49
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
26
读取速度,GB/s
10.2
15.4
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2771
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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