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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
5.9
5.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
48
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
25
读取速度,GB/s
8.9
12.3
写入速度,GB/s
5.9
5.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1966
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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