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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
48
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
5.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
1966
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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