RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3711
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link