RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2186
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link