RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2994
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link