RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2256
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link