RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
12.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2256
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link