RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
81
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
81
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
8.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
1651
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-002.A00G 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link