RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
49
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3499
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link