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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
49
左右 -158% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
19
读取速度,GB/s
10.2
20.0
写入速度,GB/s
8.1
17.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3499
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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