RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2631
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link