RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
49
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2631
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link