RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2900
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link