RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
49
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
42
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2427
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link