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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
49
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
42
读取速度,GB/s
10.2
13.3
写入速度,GB/s
8.1
9.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2427
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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