RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2892
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link