RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
49
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2892
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link