RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
77
Autour de -108% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.6
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2082
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link