RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
77
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2082
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link