RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
77
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
7.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2082
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link