Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 77

Около -108% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.6 3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.8 2,622.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 37
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 9.6
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 2082

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 9965662-012.A01G 16GB

Kingston 9965662-012.A01G 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Kingston 9905702-204.A00G 8GB

Kingston 9905702-204.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingston 9905700-046.A00G 16GB

Kingston 9905700-046.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston 9905703-008.A00G 16GB

Kingston 9905703-008.A00G 16GB

модули RAM

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

AMD R948G3206U2S 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM