RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
77
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
7.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2082
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link