RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2709
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link