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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.2
16.0
写入速度,GB/s
8.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2709
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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