RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3907
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link