RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
66
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
66
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
1934
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link