RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
65
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
65
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2041
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link