RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
3990
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link