RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
73
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
73
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
1712
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link