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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
73
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
73
读取速度,GB/s
9.8
14.7
写入速度,GB/s
8.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
1712
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
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