RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
52
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2725
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link