RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link