RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link