RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2855
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link