RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
52
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2277
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link