RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
3366
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link