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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

总分
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

总分
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Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB 需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 52
    左右 -86% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.3 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.2 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 14.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2179 left arrow 3366

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较

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Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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